|
транзисторы большой мощности
Транзистор (от англ. transfer -таблица транзисторов переносить и resistanceскачать транзисторы - сопротивление или transconductance - активная межэлектродная проводимость и varistor - переменное сопротивление) - электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющийтранзистор москва входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления,транзистор генерирования и преобразования электрическихусилители на биполярных транзисторах сигналов.
Управление токомпринцип действия транзистора в выходной цепи осуществляется за счёттранзистор сгорел изменения входноготранзистор светодиод напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить ксхема унч на транзисторах существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговыетранзисторы irf ТВ, радио, связь и т.схемы на полевых транзисторах п.).
В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярныеepson транзисторы транзисторы (БТ) (международный термин - BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отрасльюнасыщение транзистора электроники является цифроваяработа полевого транзистора техника (логика, память, процессоры,защита транзистора компьютеры, цифровая1 транзистор связь и т. п.), где, напротив, биполярныекак работает транзистор транзисторы почтиметаллоискатель на транзисторах полностью вытеснены полевыми.ключи на полевых транзисторах
Всяблокинг генератор на транзисторе современная цифровая техника построена, в1 транзистор основном, на полевыхпланарные транзисторы МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ),смд транзисторы как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Международный термин -типы транзисторов MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзисторы изготавливаютсяпараметры полевых транзисторов в рамкахрежимы транзистора интегральнойгенератор на транзисторе технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный <кирпичик> для1 транзистор построения микросхем логики, памяти, процессора и т.генератор импульсов на транзисторах п. Размеры современныхприменение транзисторов МОПТ составляют от 90 до 32тесла на транзисторах нм[источник не указан 75маркировка транзисторов дней]. На одном современном чипе (обычно315 транзистор размером 1-2 см?) размещаются несколько (пока единицы) миллиардоврежимы транзистора МОПТ.транзистор npn Напринцип действия транзистора протяженииd209l транзистор 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), в ближайшиеинтегральный транзистор годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе (см. Закон Мура). Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействиямаркировка smd транзисторов процессоров.
Первыетранзисторы куплю патенты на принцип работы полевых транзисторовпринцип работы полевого транзистора былиsmd транзисторы зарегистрированы в Германии в 1928 году (в Канаде,распиновка транзисторов 22 октября 1925 года) на имя австро-венгерскогопланарные транзисторы физика Юлия Эдгара Лилиенфельда.[источник не указан 48горит строчный транзистор дней] В 1934 году немецкий физикунч на полевых транзисторах Оскар Хейл запатентовал полевой транзистор. Полевые транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическомсхема подключения транзистора эффекте поля, погреется строчный транзистор физике они существенно проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы и запатентованы задолго до биполярныхстабилизаторы на полевых транзисторах транзисторов. Тем не менее, первыйполевой транзистор цоколевка МОП-транзистор,схема ключа на транзисторе составляющий основу современной компьютернойсхема включения полевого транзистора индустрии, был изготовлентранзисторы bu позже биполярного транзистора, в 1960транзистор кт3102 году.транзисторы высоковольтные Только в 90-х годах XX века МОП-технология сталатранзистор 3102 доминироватьпроизводители транзисторов над биполярной.
В 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labs впервые создали действующийкак сделать транзистор биполярный транзистор, продемонстрированный 16 декабря.производители транзисторов 23 декабря состоялось официальное представление изобретениятранзисторы большой мощности и именно эта датавключение биполярного транзистора считается днём изобретения транзистора. Попростые схемы на транзисторах технологии изготовлениямощные полевые транзисторы он относилсясовременные транзисторы кдаташит транзисторы классутехнические характеристики транзисторов точечныхключ на полевом транзисторе транзисторов.коды транзисторов В 1956 году они быликак работает транзистор награждены Нобелевской премией по физике <за исследованияусилитель на полевом транзисторе полупроводниковкак прозванивать транзисторы и открытие транзисторного эффекта>.полевые транзисторы импортные справочник Интересно, что Джон Бардин вскоре был удостоен Нобелевскойчип транзисторы премии во второй раз за создание теории сверхпроводимости.
Позднее вакуумные лампы были заменены транзисторами в большинстве электронных устройств, совершив революцию в созданиитранзистор d2499 интегральныхкак прозвонить транзистор схемтранзистор затвор сток исток и компьютеров.
Bell нуждались в названии устройства. Предлагались названиятранзистор <полупроводниковыйтранзистор npn триод> (semiconductor triode),поиск транзисторов Triode>,усилитель на транзисторах Statesмосфет транзисторы Triode>,транзистор npn <кристаллический триод> (crystal triode) и , но слово <транзистор> (transistor), предложенное Джономc945 транзистор Пирсом (John R.315 транзистор Pierce), победилотранзистор d2499 во внутреннем голосовании.
Первоначально название <транзистор> относилосьскачать справочник по транзисторам к резисторам,полевые транзисторы импортные справочник управляемым напряжением. В самом деле, транзистор можно представить как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых транзисторах -подключение транзистора напряжением между затвором ианалоги отечественных транзисторов истоком, в биполярных транзисторах - напряжением между базой и эмиттером).
|