|
конструкция транзистора
Транзистор (от англ. transfer - переноситьсоветские транзисторы итранзисторы bu resistance - сопротивление или transconductance - активная межэлектродная проводимость и varistor - переменноераспиновка транзисторов сопротивление) - электронный прибор из полупроводникового материала,импульсный транзистор обычно сdatasheet транзистор тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычносгорает строчный транзистор используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.
Управление током в выходной цепивах транзистора осуществляется за счёт изменения входного напряжения6822 транзистор или тока. Небольшое изменение входных величин может приводитьстабилизатор напряжения на транзисторе к существеннотранзисторы irf большему изменению выходного напряжения и тока.проверка транзисторов Это усилительное свойство транзисторов используетсяцоколевка транзисторов в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связьтранзистор в ключевом режиме и т. п.).
Взамена транзисторов настоящее время в аналоговой технике доминируютдрайвер транзистора биполярныетесла на транзисторах транзисторы (БТ) (международныйработа транзистора термин - BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика,применение полевых транзисторов память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почтитранзистор в ключевом режиме полностью вытесненыполевой транзистор управление полевыми.
Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как болеепреобразователь на полевом транзисторе экономичных, по сравнению с БТ,диоды транзисторы элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)-интегральный транзистор транзисторы. Международный термин - MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевомigbt транзисторы кристалле (чипе) и составляют элементарный <кирпичик> для построения микросхеммдп транзистор логики, памяти, процессораконструкция транзистора и т. п. Размеры современных МОПТ составляютработа биполярного транзистора от 90 до 32 нм[источник не указан 75 дней]. Нацоколевка полевых транзисторов одномвыводы транзистора современном чипе (обычно размером 1-2 см?)импортные транзисторы справочник размещаются несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация)реле на транзисторе МОПТ и увеличение их количества на одномвч транзисторы чипе (степень интеграции), впринцип работы полевого транзистора ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степенидрайвер транзистора интеграции транзисторов на чипе (см. Закон Мура). Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров.
Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии втранзисторы pdf 1928 году (в Канаде, 22 октября 1925 года) на имя австро-венгерского физикаскачать транзисторы Юлия Эдгара Лилиенфельда.[источник не указан 48 дней] В 1934транзистор процессор годуполевой транзистор применение немецкий физик Оскар Хейлподключение транзистора запатентовалзавод транзистор полевой транзистор. Полевые транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физике они существенно проще биполярных транзисторов, и поэтомутранзистор кт827 они придуманы ипростые схемы на транзисторах запатентованы задолго до биполярных транзисторов.справочник по зарубежным транзисторам Тем не менее, первый МОП-транзистор,вах транзистора составляющийполевые транзисторы параметры основу современной компьютерной индустрии, былтранзисторы с изолированным затвором изготовлен позжеинтегральный транзистор биполярного транзистора, в 1960 году.производство транзисторов Только встабилизаторы тока на полевых транзисторах 90-хтранзистор кт315 годах XX века МОП-технология стала доминировать над биполярной.
В 1947 году Уильямтранзисторы bu Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейнкак проверить полевой транзистор в лабораториях Bell Labsтранзистор впервыетранзистор затвор сток исток создали действующий биполярный транзистор, продемонстрированный 16 декабря. 23 декабря состоялось официальное представление изобретения и именно эта датасхема ключа на транзисторе считаетсяусилитель на транзисторах днём изобретения транзистора. По технологии изготовленияключ на полевом транзисторе онтранзисторы philips относился к классуs8050 транзистор точечныхработа полевых транзисторов транзисторов.транзистор это просто Врежимы работы транзистора 1956 году они былистабилизаторы на полевых транзисторах награждены Нобелевской премиейполевые транзисторы по физике <затранзистор в ключевом режиме исследованияключ на полевом транзисторе полупроводников и открытие транзисторного эффекта>. Интересно,мощные биполярные транзисторы что Джон Бардин вскоре был удостоен Нобелевскойтранзистор это просто премии во второй разскачать транзисторы загенератор импульсов на транзисторах создание теории сверхпроводимости.
Позднееключ на биполярном транзисторе вакуумные лампы были заменены транзисторами в большинстве электронных устройств, совершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров.параметры транзисторов
Bell нуждалисьмаркировка транзисторов впланарные транзисторы названии устройства.усилители на биполярных транзисторах Предлагались названия <полупроводниковый триод> (semiconductor triode), Triode>, схема транзистора States Triode>, <кристаллический триод> (crystal triode) и , но слово <транзистор> (transistor), предложенное Джоном Пирсом (John R. Pierce), победило во внутреннем голосовании.
Первоначально название <транзистор>мосфет транзисторы относилось к резисторам, управляемым напряжением. В самом деле, транзистор можнотрансформатор тесла на транзисторе представить как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электродекак сделать транзистор (в полевых транзисторахn p n транзистор - напряжением между затворомприбор для проверки транзисторов и истоком, в биполярных транзисторах -цоколевка полевых транзисторов напряжением междубиполярный транзистор базой и эмиттером).
|